DInGaAs係列TE製冷型銦镓砷探測器_北京www.91光儀器有限公司

產品（pǐn）概述

產品概述

TE 製冷型銦（yīn）镓砷探測器DInGaAs(x)-TE 具有相（xiàng）同的外（wài）觀設計，其探測（cè）元件均使用進口二級製冷銦镓砷探測器。

光譜響應度曲線參考圖（虛（xū）線為某款國產InGaAs對比曲線）

銦镓砷探測器使用建議：

■ DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器均為電流輸出（chū）模（mó）式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器（qì）等要（yào）求電壓輸入的信號處理器前（qián），建議采用I-V跨導放大器（qì）ZAMP做為前級放（fàng）大並轉換為電壓信號（hào）；標（biāo）明可輸入電流信（xìn）號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加（jiā）前置放大器以提（tí）高探測靈敏度；

■ DInGaAs係（xì）列和DInGaAs-TE係列（liè）銦镓砷探測器配合DCS300PA數據采集係（xì）統（tǒng）使用（yòng）時，由於DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

■ 製冷型DInGaAs-TE係列銦镓砷探測，在製冷（lěng）模式（shì）時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫（wēn）控製；

型號（hào）/參數	DInGaAs1700-TE	DInGaAs2600-TE	DInGaAs2600H-TE
光敏麵直徑(mm)	3	3	3
波長範圍(nm)	800-1700	800-2600	800-2600
峰值響應度(A/W)	0.9	1.2	1.3
D*(典型值)	8.4×10^13	4.9×10^11	4.5×10^11
NEP(典型（xíng）值)	3.2×10^-15	5.5×10^-13	6×10^-13
溫控器型號	ZTC	ZTC	ZTC-H
探測器溫度(℃)	-40	-40	-20
溫度穩定度(℃)	±0.5	±0.5	±0.5
環境溫度（dù）(℃)	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信號（hào）輸出模式	電流	電流	電流
輸出信（xìn）號極性	正（P）	正（P）	正（P）
匹配前置放大器型號	ZPA-7	ZPA-7	Preamplifier

DInGaAs係列TE製冷型銦镓砷探（tàn）測器

產品

應用

資源

服務

新（xīn）聞

我們