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LIBS-Lab 實驗室元(yuán)素分析測試係(xì)統

一套用於皮秒時間分辨的超快熒光測試係統解決方案,為您提供(gòng)ps-ns-us 量級的超快熒(yíng)光壽命或(huò)超快等離子體衍化過程的快速測量。
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產(chǎn)品概述

技術介(jiè)紹:

激光誘導擊(jī)穿(chuān)光譜(LIBS)是一種通(tōng)過脈衝激光轟擊樣品獲得樣品轟擊麵(miàn)區域原子發(fā)射光譜的分析方法。其具有快速分析,同時(shí)能檢測多種元素等特點。經過幾十年,特別是近20年的研究發展(zhǎn),LIBS技術已經(jīng)從實驗室逐步向實際(jì)利用領域發展,如冶金,文物鑒定,考古等方麵。而該技術中除了相關的激光器,快速診斷探測器,光譜儀的使用也(yě)至關重要。

產品應用:

LIBS係統(tǒng)的主要構成有激光器,聚焦係統,樣品區域,時序控製係統,信號接(jiē)收裝(zhuāng)置,光譜儀和快速響應探測器(qì)(ICCD)等部分組成。如下圖所示(shì):

圖(tú)1:LIBS係統主要構架

激光(guāng)器方麵一般使用納(nà)秒量級的脈衝激(jī)光器,激發波長以532nm或1064nm為主。當然越(yuè)是窄脈衝激光器對於樣品靶(bǎ)麵的燒蝕損傷越小,因此近年來科學家也(yě)開始使用飛秒激光作為激發源。

快速探(tàn)測器方麵,一般采用ICCD作為標準的LIBS探測(cè)器。但是ICCD也並非獨一無二的選擇。由於LIBS信號的產生是在激發光轟擊後的幾百納秒到(dào)幾微秒產生,且持續(xù)時間也有幾微秒到幾十微秒。因此科(kē)學家也可以通過時序控製器調節探測器同(tóng)激光器之間的(de)延時,用快速的線陣CCD也可以獲得較準時間精度的LIBS信號。

LIBS信號的分析受到很多因素的影響,激光器能量的穩定性,探測器的時間精度,時序(xù)控製的準確等。近年來,隨著LIBS光譜分(fèn)析(xī)從(cóng)定性往定量檢測(cè)發展,對於(yú)譜儀的要(yào)求也越來(lái)越高。市場上使用(yòng)中階梯光柵光譜儀比(bǐ)較廣泛,其特點是可以在一個比較寬的波段範圍裏檢測信號。但是為了獲得更高的光(guāng)譜(pǔ)分辨率,隨之而來檢測範圍也會縮(suō)小,同時設備成本也會增加。而傳統C-T(Czerny-Turner)結(jié)構的光譜儀有著使用方便(biàn),性價比高的特點,目前(qián)仍(réng)然在LIBS領域有著不可忽視的作用。

C-T結構(gòu)光譜儀可以根據(jù)需要更換(huàn)高刻畫(huà)線或是低刻畫線光柵(shān)來獲得高分辨或是(shì)更寬的光譜(pǔ)。相較於中階梯光譜儀,其也有著更高的(de)光通量,從而可以檢測更弱的信號。另外(wài)C-T結構光譜儀也較容(róng)易實現較高質量的光譜成像,這可以使得我們獲得較高的分辨率(lǜ)和較(jiào)完美譜線(xiàn)峰型,從而使定量(liàng)分析變得簡單方便。

北京(jīng)www.91光(guāng)多年來致(zhì)力於光譜儀的開發和研究,在小型化C-T結構光譜儀(Omni係列(liè))領域走出了一條很有特點的發展之路。

本公司相機推出200mm,320mm,500mm和750mm焦距的C-T光譜儀。750焦距光譜儀,采(cǎi)用1200刻線光柵,可以得到0.03nm的(de)分辨率,輕鬆(sōng)解決各種LIBS信號分辨采集。

圖2:科學(xué)家利用(yòng)Omni-500譜儀和ICCD采集(jí)到的黨參樣品的(de)成分元(yuán)素分析

在生物LIBS領域,科學家利用LIBS技術逐漸對植物(wù)的重金屬含量分析,中藥的成分分(fèn)析進行研究,也獲得了很多很有實踐意義的成果。上圖中我們可以看到(dào),信(xìn)號的信噪比很突出,並且峰型尖銳,很多離著很近的譜峰可以輕鬆分辨出來。

圖3:我們提供各種光譜儀組合

該類型(xíng)譜(pǔ)儀有著(zhe)各種輸入和(hé)輸(shū)出接口,入口方麵可以(yǐ)連(lián)接各種光纖,方便采集信號,出口探測器方麵可以接PMT,也可以連接市場上多種類(lèi)型的ISCMOS或是CCD。

像增強相機
本(běn)公司提(tí)供多種(zhǒng)納秒超快(kuài)探測器ISCMOS

國內首推科學(xué)級製冷型(xíng)超快IsCMOS 相機,采用高效超快像增強器(qì),采(cǎi)用**光(guāng)纖麵板耦合(hé)工(gōng)藝技術,配合>95% 量子效(xiào)率 科研製冷型sCMOS 相機, 實現低噪聲、高速、超快門(mén)控拍(pāi)照。

IsCMOS像增強型相機

● 科學(xué)級製冷型(xíng)IsCMOS

● 18/25mm 大口徑二代高效像(xiàng)增(zēng)強(qiáng)器

● 光譜響應範圍:S20 光陰極,200-850nm

● 光學快門(mén): <3ns

● 延(yán)遲與門控精度:10ps

● 增強器陰極門控*高(gāo)同(tóng)步(bù)頻率 300KHZ;

● 內置時序(xù)控(kòng)製器(qì)DDG

● 耦合方式:1:1 光纖麵板耦合

● sCMOS 芯片: 高分辨2048*2048陣列

● 位深: 16bit

● 製冷溫度(dù): 室溫(wēn)減35度

● *快幀速: 35fps.

● 專業化數據采集控製軟(ruǎn)件

獨特亮點

製冷(lěng)型IsCMOS

-10度芯片製冷溫度,有效減低芯片暗噪聲,安靜讀出

超快光學門寬(kuān)

<3ns 陰極光學門寬,實現**測量

內置(zhì)DDG

內(nèi)置精度<10ps  門控與(yǔ)延遲控製發射器,方便隨心控製

高效光纖錐(zhuī)耦合

1:1 高效光纖錐(zhuī)耦合增強器與相機,高通光(guāng)量

高分辨率讀出

400萬像素(sù)高分辨率圖像讀(dú)出,不(bú)忽略細節

16bit, 95% QE

高動(dòng)態範圍,高量(liàng)子效率(lǜ),不(bú)留(liú)缺憾

IOC 模式

>300kHZ陰極快門(mén)同步頻率(lǜ),IOC  芯片累積模(mó)式下提升(shēng)信噪比

專業化軟件

采集控製,數據處理專業化界麵,簡單 快捷

常見型號列(liè)表(biǎo):

 

 

SIC-25U-UV-4M-F

25mm 增強器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光(guāng)纖麵板耦合

IsCMOS

SIC-18U-UV-4M-F

18mm 增強器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光纖麵板耦合

SIC-18U-VIS-4M-F

18mm 增強器,VIS 380-850nm, 2048*2048, 光纖麵板耦合

 

 

SIC-18F-VN-4M-F

18mm 增強器,VIS -NIR 400-1100nm, 2048*2048,光纖麵板耦合

 

 

ICCD

SIC-18U-UV-6M-L

18mm 增強器,UV-VIS 200-850nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦合

SIC-18F-VN-6M-L

18mm 增強器,VIS-NIR 400-1100nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦(ǒu)合

 
技術參數
 

sCMOS相機

像(xiàng)素陣列

2048*2048

陣麵尺寸

13.3*13.3mm

像素(sù)大小

6.5um*6.5um

傳感器類型

背照式sCMOS

量子效率

>95% @600nm

讀出噪聲

CMS: 1.1e-(Median) / 1.2e-(RMS)

暗電流

0.15e- / pixel / s@-15℃

曝光(guāng)時間

1ms-10s

位深

16bit

數字接口

UBS3.0

像增強器MCP

光陰極

S20B

S25R

光譜範圍

200-850nm

380-1100nm

峰值量子效率

20% @440nm

22%@720nm

等效噪聲(EBI)

< 2 x 10-7 lux @ 20 °C ± 2 °C

< 5 x 10-7  Lux

光子增益

1*104 photon/photon

1.4*104

有效口徑尺寸(cùn)

18mm & 25mm

18mm

熒(yíng)光屏

P20 /P43

P43

輸(shū)出窗口

1:1光(guāng)纖麵板

光學門控寬度

Fast: <3ns;  Slow option > =50ns

Fast < 5ns

內部DDG 控製

延遲和門(mén)寬調節範圍

0-10s

延遲(chí)和門寬調節精度

10ps

同步接口(kǒu)

外觸發輸入,觸(chù)發輸出,直接觸發(Direct gate)

觸發信號(hào)

觸發閾值 1-5V, 阻抗50歐姆,抖(dǒu)動<100ps

觸發固有延遲

<120ns@ 外觸發,<40ns  @ Direct gate 直接觸發

sCMOS 量子效率曲線
增強器光陰極量子效率曲線
 
 

引用文獻:

  1. WangJinmei, YanHaiying, ZhengPeichao, TanGuining,1111002,44(2017)

  2. YongqiangWang, Maogen Sua, Duixiong Sun, ChaoWu, Xiaomin Zhang,Quanfang Lu, Chenzhong Dong,Microchemical Journal,318,137(2018)

  3. Yuanhang Wang,Yang Bu,Yachao Cai and Xiangzhao Wang,Journal of Analytical Atomic Spectrometry,1023,37(2022)

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