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DInGaAs係列常溫(wēn)型銦镓砷探測(cè)器

使用範圍:0.8-1.7μm/2.6μm

 
 
 
 
 
 
 
 
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產品概述

常(cháng)溫型銦镓砷探測(cè)器(常溫型InGaAs探測器)

●  DInGaAs1650型(xíng)內裝(zhuāng)國產InGaAs元件(jiàn)
●  DInGaAs1700-R03M型內裝進口(kǒu)InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進口(kǒu)大麵積InGaAs元件


光譜響應度曲線參考圖(tú)

常溫(wēn)型銦镓砷探測器型號列表(biǎo)及主要技術指標:
  型號/參數 DInGaAs1650 DInGaAs1700-R03M DInGaAs2600-R03M
光敏麵直(zhí)徑(mm) 3 3 3
波長範圍(nm) 800-1700 800-1700 800-2600
峰值響應度(A/W, *小) 0.85 0.9 1.1
暗電流(nA, *大) 200 100 1mA
D*(典型值) - 2.3×10^12 4.1×10^10
NEP(典型(xíng)值) - 1.2×10^-13 6.5×10^-12
阻抗(MΩ) 1 1.5 320Ω
電容(pF) 1500 800 9000
響應時間(ns) 160 100 1μs
信號輸出模式 電流(liú) 電流 電流
輸出(chū)信號(hào)極性 正(P) 正(P) 正(P)
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