DSi係列（liè）矽光電探測器——室溫型探測（cè）器，使用範圍：200-1100nm
兩種型號（hào）的探測器室的外觀相同，其中：
● DSi200型（xíng）內裝進口紫敏矽光電探測器
● DSi300型內裝進口藍（lán）光增強（qiáng）型矽光電探測（cè）器
● 推（tuī）薦配合I-V放大器（型號（hào）：ZAMP）使用
兩種型號矽光（guāng）電探測器的光（guāng）譜響應度曲線圖（tú）
| 技術指標＼型號名稱 |
DSi200 紫敏矽探測（cè）器 |
DSi300 藍光增強型矽探測器 |
| |
進口紫外增強（qiáng）型 |
進口（kǒu）藍光增強型 |
| 有（yǒu）效接收（shōu）麵積(mm2) |
100(Φ11.28) |
100(Φ11.28) |
| 波長使用（yòng）範圍(nm) |
200-1100 |
350-1100 |
| 峰值波長(nm)，典型值（zhí） |
820nm |
970nm |
| 峰值波長響應度(A/W) |
0.52 |
0.60(>0.55) |
| 典型波長的響應度(A/W) |
0.14(>0.09)@254nm |
0.20(>0.15)@410nm |
| 響應時間(μs) |
5.9 |
2 |
| 工作（zuò）溫度範圍（wéi）(℃) |
-10～+60 |
-10～+60 |
| 儲存溫度範圍(℃) |
-20～+70 |
-20～+70 |
| 分流電阻RSH(MΩ) |
10(>5) |
(>10) |
| 等效噪（zào）聲功率NEP(W/√Hz) |
4.5×10-13 |
2.0×10-13 |
| *大操作（zuò）電流(mA@0V bias) |
0.1 |
10.0 |
| 結電容(pf@0V bias) |
4500 |
8800 |
| 信號輸出模式（shì） |
電流 |
電流 |
| 輸出信號極性 |
正（P） |
正（P） |
矽光電（diàn）探測器使用建議：
■ DSi200/DSi300均為電流（liú）輸出模式的光電（diàn）探測器，在接入示波器、鎖相放大器等（děng）要求電壓（yā）輸入的信號處理器前，建（jiàn）議采用I-V跨導放大器做為前級放大並轉換為（wéi）電壓信號，標明可輸入電流信號（hào）的信（xìn）號處理器可直接接入信號（hào），但仍建議增加前置放（fàng）大（dà）器以（yǐ）提高探測靈敏度；
■ DSi200/DSi300配合DCS300PA數據（jù）采集係統使用時，由（yóu）於DCS300PA雙通道已集成信號放（fàng）大器，故可不再（zài）需要另行選配前置放大器。
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