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OmniFluo-FLIM顯微熒光壽命成像係統(tǒng)

OmniFluo-FLIM係列顯微熒光壽命成像係統由(yóu)科研級正置顯微鏡,配合多波長光路轉換機構,實現一套係統多波長激發的靈活應用,適應(yīng)不同樣品測(cè)試需求(qiú)。
高(gāo)精度平移(yí)台對樣品(pǐn)做微米量級的步進控製,實(shí)現空間高分辨率掃描。樣品發(fā)光有(yǒu)高效收光光路,由高速、高靈敏探測器接(jiē)收,再由時間分(fèn)辨(biàn)精度達到16ps的時間(jiān)相關單光子計數(shù)器來獲得樣品的熒光壽命。集成軟件自動擬合個采集點熒光壽命,*終得到樣品的壽命影像。
 
 
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產品概述

熒光和熒光壽命

分子包含多(duō)個單能態S0、S1、S2…和三重態T1…,每個能態(tài)都包含多個精細(xì)的能級。正常情況下,大部分電子處在*低能態即基態S0 的*低能級上,當分子被(bèi)光束照射,會吸收光子能量,電子被激發到更高的能(néng)態S1 或S2 上,在(zài)S2 能態(tài)上的電子隻能存在很短暫的時間,便會通(tōng)過內轉換(huàn)過程躍遷到S1 上,而S1 能態上的電子亦(yì)會在極短時(shí)間內躍遷(qiān)到S1 的*低能級上,而這些電子會存在一段時間(jiān)後通過震蕩弛豫輻射(shè)躍遷到基態,這個過程(chéng)會 釋放一個光子,即熒光。

此外,亦會有電子躍遷至三重態T1 上,再(zài)由T1 躍遷至基態,我們稱之為磷光。

熒光特性

研究熒光特性時,主要在以下幾方麵進行分析:激發光譜,發射光譜、熒光強度(dù)、偏振熒光、熒光發光量子(zǐ)產(chǎn)率、熒光壽命等。其中熒光壽命(Fluorescence Lifetime)是指熒光分子在激發態上存(cún)在的平均時間(納秒量級)。

熒光壽命測試

熒光壽命一般在幾納(nà)秒(miǎo)至幾百納秒之間,如今主要有兩類測試方法:時(shí)域測量(liàng)和(hé)頻域測(cè)量時(shí)間穩(wěn)定性實驗(yàn)測試曲線:

1 時域測量

由一束窄脈衝將熒光分子激發至較高能態S1,接著測量熒光的發(fā)射幾率隨時間的變化。其中目前廣泛應用的是時間相關單光子計數(shù),即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)

時(shí)間(jiān)相關(guān)單光子(zǐ)計數(TCSPC) 實現了從百ps-ns-us 的瞬態測試,此方法對數據的獲取完全依賴快速探測器和高速電(diàn)路(lù)。用統計(jì)的方法計(jì)算樣品受激後發出的*( 也是唯一的一個) 光子與激發光之(zhī)間的時間差,也就(jiù)是下圖的START( 激發時刻) 與STOP( 發光時刻) 的時間(jiān)差。由於(yú)對於Stop 信號的要求,所以TCSPC 一般需要高重複頻(pín)率的光源作為激發源,其重複至少要在100KHz 以(yǐ)上,多數的光源都會達到MHz 量級;同時,在一般情況下還要對Stop 信號做數量上(shàng)的控製,做到盡量(liàng)滿足在一個激發周期內,樣品(pǐn)產(chǎn)生且隻產生一個光(guāng)子的有效熒光信號,避免光子對的出現(xiàn)。

2 頻域測量

對連續激發光(guāng)進行振幅調製後,分子發出的熒光強度也會受到振幅(fú)調製,兩個調製信號之間存(cún)在與熒光壽命相關的相位(wèi)差,因此可以測量(liàng)該相位差計算(suàn)熒光(guāng)壽命。

 
 

左圖為正弦(xián)調製激發光(綠色)頻(pín)域顯示(shì),發射光信(xìn)號(紅色)相應的相位變化頻域顯示。

右圖為對應不同壽命的調製和相位的頻(pín)域顯示。TM- 調製壽命(mìng),TP- 相位壽命。[1]

顯微熒光壽命成像技術(FLIM)

顯微(wēi)熒光壽命成像技術(Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy,FLIM)是一種在顯微尺度下展現熒光壽命空間(jiān)分布(bù)的技術(shù),由於其不受樣品濃度影響,具有其他熒光成像技術無法代替的優異(yì)性(xìng)能,目前在生(shēng)物(wù)醫學工程、光電(diàn)半導體材料等領域是一種重要的表征測量手段。

FLIM 一般分為寬場FLIM 和激光(guāng)掃描FLIM。

寬場FLIM(Wide Field FLIM,WFM)

該技術是用平行光照明並由物鏡聚焦樣品(pǐn)獲得熒光信號,再由一寬場相機采集熒光成像。寬場FLIM 常用於快速獲取大(dà)麵積樣(yàng)品成像。時域或是頻域壽命采集都可以應用在寬場成像FLIM 上。寬場FLIM 有更高幀率和低損傷的優勢。

2 激光掃描FLIM(Laser Scanning FLIM,LSM)

激光掃描FLIM 是針(zhēn)對選定區域內的樣品逐點獲取其(qí)熒光衰減曲線,再經過擬合*終合成熒光壽命圖像(xiàng)。相比寬(kuān)場FLIM,其在空間分辨(biàn)率、信噪(zào)比方麵有更大的(de)優勢。掃描方(fāng)式有兩種:一種是固定樣品,移動激光進行掃描(miáo),一種是固定激光,電動位移台帶動樣品(pǐn)移(yí)動進行掃描(miáo)。

FLIM 應用

材料科學領域
  • 寬禁帶半導體如GaN、SiC 等體係的少子壽命mapping 測量
  • 量子點如CdSe@ZnS 等用作熒(yíng)光壽命成像顯微鏡(jìng)探針
  • 鈣鈦礦電池/LED 薄膜的(de)組分分析、缺陷檢(jiǎn)測
  • 銅銦镓硒CIGS,銅鋅錫硫CZTS 薄膜太陽能電池的組(zǔ)分、缺陷檢測
  • 鑭係上轉換納(nà)米顆粒
  • GaAs 或GaAsP 量子阱的載流子擴散研究

生(shēng)命科學領(lǐng)域

  • 細胞體自(zì)身熒光壽命分析
  • 自(zì)身熒光相對熒光標記的有效區分
  • 活細胞內水介質的PH 值測量
  • 局部氧氣濃度測量
  • 具有相同頻譜性質(zhì)的不同熒光(guāng)標記的區分
  • 活細胞內鈣(gài)濃度測(cè)量
  • 時間分辨共振能量轉(zhuǎn)移(FRET):納米級尺度上的遠差測量,環(huán)境(jìng)敏感的FRET 探針定量測量
  • 代謝成像:NAD(P)H 和FAD 胞質體的熒光(guāng)壽命成像

OmniFluo-FLIM係列顯微熒光壽命成(chéng)像係統應用案例

1 用熒光分子對海拉細胞進行染色

用熒光分子轉子(zǐ)Bodipy-C12 對海拉細胞(宮頸(jǐng)癌細胞(bāo)的一種) 進行染色。

(a) 顯微熒光壽命成像(xiàng)圖,壽命範圍1ns(藍色(sè))到2.5ns(紅色);

(b) 熒光壽命直方圖(tú),脂肪滴的短壽命約在1.6ns 附近,細胞中其他位置壽命較長,在1.8ns 附近。

用熒光分子轉子的時間(jiān)分辨測量*大的(de)好(hǎo)處在於熒光壽命具備足夠(gòu)清晰的標簽特性,且與熒光團的濃度無(wú)關。[2]

2 金屬修飾熒光(guāng)

金屬(shǔ)修飾熒光:

(a) 熒光(guāng)壽命是熒光團到金表麵距離的函數;

(b) 用綠色熒光蛋白(GFP)標記乳腺腺癌(ái)細胞的細胞膜的共聚焦xz 橫截麵,垂直比例尺(chǐ):5m;

(c) b 圖的FLIM 圖,金表麵附近的(de)GFP 熒光壽命縮短。[2]

3 鈣鈦礦太陽能(néng)電池

下圖研究中,展示了一種動態熱風(DHA)製備工藝(yì)來控製(zhì)全無機(jī)PSC 的薄膜形態和穩定性,該工藝不含有常規的有害反溶劑,可(kě)以在大氣環境中製備。同時,鈣鈦礦摻有鋇(Ba2+) 堿金屬離子(zǐ)(BaI2:CsPbI2Br)。這種(zhǒng)DHA 方(fāng)法有助於形成均勻的(de)晶粒並控(kòng)製結晶(jīng),從而形成(chéng)穩定(dìng)的全無(wú)機PSC。從而(ér)在環境條件下形成完整的黑色相。經(jīng)過DHA處理的鈣鈦礦光伏(fú)器件,在0.09cm小麵積下,效率為14.85%,在1x1cm的大麵積下,具有13.78%的*高效率。DHA方法製備的器件(jiàn)在300h後仍然保持初始效率(lǜ)的92%。

4 MQWs 多量子阱研究

在(a) 藍(lán)寶石和(b) GaN 上生長的MQWs 的共焦PL mapping 圖像(xiàng)。具有較小(xiǎo)尺寸的發光團的*高密度是觀察到在GaN 上生長的MQWs。在(c) 藍寶石和(d)GaN 上生長的MQWs 的共焦TRPL mapping 圖。僅對於在GaN 上生長的MQWs,強的PL 強(qiáng)度區域與較長PL 衰減時間的區域很好地匹配(pèi)。在(e) 藍寶石和(f)GaN 上生(shēng)長的MQWs 在A 點和B 點測量的局部(bù)PL 衰減曲線,均標(biāo)記在圖中。對於在GaN 上生(shēng)長的MQWs,點A 和B 之間的PL 衰減時間差更高。

OmniFluo-FLIM係列顯微熒光壽命成像係統參數配置

北京www.91光儀器有限公司提供的(de)顯微熒(yíng)光壽命成像係統是基於顯微和時間相關單光子(zǐ)計數技術,配合高(gāo)精度位移台得到微觀樣品(pǐn)表麵各空間分布點的熒光衰(shuāi)減曲線,再經過用數(shù)據擬合,得到樣品表麵發光壽命(mìng)表征的影像。是光電半導體材料、熒光標(biāo)記常用熒光分子等類似熒光(guāng)壽命大多分布(bù)在納秒、幾十、幾百納秒(miǎo)尺度的物質的不二(èr)選擇。

參數指標:

係統性能指標

光譜掃(sǎo)描範圍

200-900nm

*小時間分辨率(lǜ)

16ps

熒光(guāng)壽命測(cè)量範圍

500ps-1μs@ 皮秒脈衝激(jī)光器

空間分辨率

≤1μm@100X 物鏡@405nm 皮秒脈衝激光器

熒光壽命檢測IRF

≤2ns

配(pèi)置參數

激(jī)發源及匹配光譜範圍

(光源參數基於

50MHz 重複頻率)

375nm 皮秒(miǎo)脈衝激光器,脈(mò)寬:30ps,平均(jun1)功率1.5mW,熒光波段:400-850nm

405nm 皮秒脈衝激光器,脈寬:25ps,平均功(gōng)率2.5mW,熒光波段:430-920nm

450nm 皮秒脈衝激(jī)光器,脈寬:50ps,平均功率1.9mW,熒(yíng)光(guāng)波段:485-950nm

488nm 皮秒脈衝激(jī)光器,脈(mò)寬:70ps,平均功率1.3mW,熒(yíng)光波段:500-950nm

510nm 皮秒脈衝激光器,脈寬:75ps,平均功率1.1mW,熒光波段:535-950nm

635nm 皮(pí)秒脈衝激光器(qì),脈寬:65ps,平均功率4.3mW,熒光波段:670-950nm

660nm 皮秒脈衝激光器,脈寬:60ps,平均功率1.9mW,熒光波段:690-950nm

670nm 皮秒脈衝激光器,脈寬:40ps,平均功率0.8mW,熒光波段:700-950nm

科研級正置顯微鏡

落射明(míng)暗場鹵素燈照明,12V,100W

5 孔(kǒng)物鏡轉盤,標配明場(chǎng)用物鏡:10×,50×,100×

監視CCD:高清彩色CMOS 攝像頭,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,

有(yǒu)效像素:1280H*1024V,掃描方式:逐行,快門(mén)方式:電子快門

電動位移台

高精度電動XY 樣品台,行程:75*50mm(120*80mm 可選),

*小步進:50nm,重複定位(wèi)精度:< 1μm

光譜(pǔ)儀

320mm 焦距影像校正單色儀,雙入口、狹(xiá)縫出口、CCD 出口,

配置三塊68×68mm 大麵積光柵,波長準確(què)度:±0.1nm,

波長重複性:±0.01nm,掃(sǎo)描步(bù)距:0.0025nm,焦麵尺寸:30mm(w)×14mm(h),

狹(xiá)縫縫寬:0.01-3mm 連續電動可調

探測器:製冷型(xíng)紫外可見光電倍增(zēng)管,光(guāng)譜範圍:185-900nm(標配,可擴展(zhǎn))

光譜CCD

(可擴展PLmapping)

低噪音科學級(jí)光譜CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,

像元尺寸:15μm*15μ

m, 探測麵:30mm*3.8mm,背(bèi)照式深耗盡芯片,

低暗電流,*低製冷溫度-60℃ @25℃環境溫度,風冷,*高量子效率值(zhí)>95%

時間相關單光子計(jì)數器(TCSPC)

時間分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs,死時間< 10ns,

*高65535 個直(zhí)方圖時間窗口,瞬時飽和計數率:100Mcps,支持穩態光譜測試;

OmniFluo-FM 熒光壽命成像專用軟件

控製(zhì)功能:控製樣品平移台移動,通過顯微鏡的明場光學像定位到合適區域,

框(kuàng)選掃描區域進行掃描,逐點獲得(dé)熒光衰減曲線,實時生成熒(yíng)光圖像等

數據處理功能:自動對掃描獲得的FLIM 數據,逐點進行多組分熒(yíng)光壽命(mìng)擬合

(組分數小於等於4),對逐點擬合獲得的熒光強度、熒光壽命(mìng)等信息生(shēng)成

偽彩色圖像顯示

圖像處理功能:直方圖、色表、等高線、截線分析、3D 顯示等

操作電(diàn)腦(nǎo)

品牌操作電(diàn)腦,Windows 10 操作係統

 

FLIM 軟件(jiàn)界麵


控製測試界麵

測試軟件的界麵遵循“All In One”的簡潔設計思路,用戶(hù)可在下圖所示的控製界麵中(zhōng)完成采集數據的所有步(bù)驟:包括控製樣品平移(yí)台移動,通過(guò)顯(xiǎn)微鏡的明場光學像定位到合適區域(yù),框選(xuǎn)掃描區域進行掃描,逐點獲得熒光衰減曲線,實時生成熒光圖像(xiàng)等。

數據處理界麵

功能豐富的熒光壽命數據處理軟件,充分挖掘用戶數據中(zhōng)的寶貴信息。可自動對(duì)掃描獲得(dé)的FLIM 數據,逐點進行多組分熒光壽命擬合(組分數小於(yú)等於4),對逐(zhú)點擬合獲(huò)得的熒光強(qiáng)度(dù)、熒光壽命(mìng)等信(xìn)息生成偽彩色圖像顯示。

自主開(kāi)發的(de)一套時間相關單光子計數(TCSPC)熒光壽命的擬合算法,可(kě)對熒光衰減曲(qǔ)線(xiàn)中*多包含4 個時(shí)間組分的熒光過(guò)程進行擬合,獲得每(měi)個組分的熒光壽命,光子數比(bǐ)例,計算評(píng)價函數和殘差。TCSPC 熒光壽命通常並非簡單的指數衰減過程(chéng),而是與光源及(jí)探(tàn)測器相關的儀器響(xiǎng)應函數(IRF)與熒光衰減過程相互卷積的結果,因此適當的擬合(hé)方法和參數選擇對(duì)獲得正(zhèng)確可靠的熒光壽(shòu)命(mìng)非(fēi)常重要。該軟件可導入實際測量的(de)IRF 對(duì)衰減曲線進行卷積計算(suàn)和擬合。但是大多數情況下, IRF 很難正確的從實驗獲得,針對這種情況,軟件提供了兩種無需(xū)實驗獲取IRF 的擬合方(fāng)法:

NO.1 通(tōng)過算(suàn)法對數據上(shàng)升沿(yán)進行擬合,獲得時間響應函數IRF,然後對整條衰減曲(qǔ)線進(jìn)行卷積計算和擬合得到熒光壽命。

NO.2對於衰(shuāi)減時間遠長於儀器響應時間的,可對衰(shuāi)減曲線下降沿進行直接的(de)指數擬合。該(gāi)軟(ruǎn)件經過大量測試,可以很好的(de)滿足各種場合(hé)的用(yòng)戶需求。

MicroLED 微盤的熒光強度像(xiàng)(3D 顯示):

測試案例



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